Vergebener Auftrag Plasma-Ätzanlage

Vergabe PR1241915-2270-W



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Vertragspartei und Dienstleister
BeschafferOffizielle Bezeichnung: Fraunhofer-Gesellschaft, Einkauf B12
Identifikationsnummer: DE 129515865
Internet-Adresse (URL): https://vergabe.fraunhofer.de/
Postanschrift: Hansastraße 27c
Postleitzahl / Ort: 80686 München
NUTS-3-Code: DE212
Land: Deutschland
Kontaktstelle: Einkauf Wissenschaftliche Geräte
E-Mail: einkauf@zv.fraunhofer.de
Telefon: +49891205-0
Art des öffentlichen Auftraggebers: Öffentliches Unternehmen
Haupttätigkeiten des öffentlichen Auftraggebers: Allgemeine öffentliche Verwaltung
Beschafferprofil (URL): https://vergabe.fraunhofer.de/NetServer/
 Federführendes Mitglied: Ja
Zentrale Beschaffungsstelle, die öffentliche Aufträge oder Rahmenvereinbarungen im Zusammenhang mit für andere Beschaffer bestimmten Bauleistungen, Lieferungen oder Dienstleistungen vergibt/abschließt: Nein
Zentrale Beschaffungsstelle, die für andere Beschaffer bestimmte Lieferungen und/oder Dienstleistungen erwirbt: Nein
Verfahren
Zweck  
RechtsgrundlageRichtlinie 2014/24/EU
BeschreibungInterne Kennung: PR1241915-2270-W
Titel: Plasma-Ätzanlage
Beschreibung: Plasma-Ätzanlage
Art des Auftrags: Lieferungen
Umfang der Auftragsvergabe  
Hauptklassifizierung (CPV-Code)  
 CPV-Code Hauptteil: 31712330-2
   
ErfüllungsortPostleitzahl / Ort: 80686 München
NUTS-3-Code: DE21H
Land: Deutschland
Bedingungen für die Einreichung eines Angebots  
Grenzübergreifende Rechtsvorschriften  
Einzelheiten zum Verfahrenstyp  
VerfahrensartVerfahrensart: Verhandlungsverfahren ohne Teilnahmewettbewerb
DirektvergabeBegründung der Direktvergabe: Der Auftrag kann aus Gründen des Schutzes anderer Ausschließlichkeitsrechte, darunter auch Rechte des geistigen Eigentums, die sich von den in Artikel 5 Absatz 10 der Richtlinie 2014/23/EU definierten Rechten unterscheiden, nur von einem bestimmten Wirtschaftsteilnehmer ausgeführt werden
Sonstige Begründung: Wegen des Schutzes ausschließlicher Rechte ist kein Wettbewerb vorhanden, so dass ein
Verhandlungsverfahren ohne Teilnahmewettbewerb mit nur einem Bieter auf der Grundlage des § 14
Abs. 4 Nr. 2 lit. c) VgV durchgeführt wird.
Einstellung des WettbewerbsDer Aufruf zum Wettbewerb ist beendet: Nein
Zusätzliche Informationen  
Beschaffungsinformationen (allgemein)
Vergabeverfahren  
Frühere Bekanntmachung zu diesem Verfahren (Vorinformation, ...)  
Bedingungen der AuktionEs wird eine elektronische Auktion durchgeführt: Nein
AuftragsvergabeverfahrenRahmenvereinbarung geschlossen: Keine Rahmenvereinbarung
 Angaben zum dynamischen Beschaffungssystem: Kein dynamisches Beschaffungssystem
Organisation, die zusätzliche Informationen bereitstelltoben genannte Kontaktstelle
Überprüfung  
Fristen für Nachprüfungsverfahren  
Stelle für Rechtsbehelfs-/NachprüfungsverfahrenOffizielle Bezeichnung: Vergabekammern des Bundes
Identifikationsnummer: t:022894990
Postanschrift: Kaiser-Friedrich-Straße 16
Postleitzahl / Ort: 53113 Bonn
NUTS-3-Code: DEA22
Land: Deutschland
E-Mail: vk@bundeskartellamt.bund.de
Telefon: +49 228 9499-0
Organisation, die Nachprüfungsinformationen bereitstelltOffizielle Bezeichnung: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Identifikationsnummer: DE-129515865
Internet-Adresse: (URL) https://www.fraunhofer.de
Postanschrift: Hansastraße 27c
Postleitzahl / Ort: 80686 München
NUTS-3-Code: DE212
Land: Deutschland
E-Mail: einkauf@zv.fraunhofer.de
Telefon: +49 89 1205-0
Schlichtungsstelle  
Beschaffungsinformationen (speziell)
Vergabeverfahren  
Beschreibung der BeschaffungBeschreibung: Many areas of semiconductors, MEMS, and 3D integration technologies - such as microfluidics, physical, optical, and chemical sensors, and emerging quantum mechanical devices such as so-called Qubits and their integration into silicon substrates - utilize the excellent properties of silicon. In particular, high-precision structuring methods have been developed for these applications. Micro- and nanochannels, membranes, valves, cantilevers, and through-silicon vias are manufactured using Si deep reactive ion etching (Si-DRIE) technology.

As a standard etching gas, SF6 is employed in Silicon Deep Reactive Ion Etching (Si-DRIE) processes. SF6 is a potent greenhouse gas with a high global warming potential (GWP) of 25.300 CO2-equivalents. Although the semiconductor industry currently benefits from an exemption regarding SF6 usage, the duration of this exemption remains uncertain. Consequently, the identification of alternative gases to replace SF6 is becoming more important. One promising alternative is F2 gas mixtures. However, their implementation requires specialized modifications to both gas infrastructure and process kits.

Hence, in addition to its fluorine compatibility, the requirements for the novel etching system should include scalability and a minimized process chamber volume compared to conventional plasma etching systems. This reduction in chamber volume decreases the total gas flow required, thereby enabling nearly complete gas utilization while minimizing gas-wall interactions. Consequently, faster gas switching times can be achieved in Bosch processes.

A key feature of this new developed etching system is its "Green Production" concept, which focuses on the minimization and prevention of environmentally harmful gases. Furthermore, the system enables straightforward scaling of substrate sizes from 150 mm to 200 mm.
Umfang der Auftragsvergabe  
Art der AuftragsvergabeArt der strategischen Beschaffung:
Erfüllungsort  
Geschätzte LaufzeitDatum des Beginns: 19.07.2027 Enddatum der Laufzeit: 23.07.2027
Verlängerungen und Optionen  
Übereinkommen über das öffentliche BeschaffungswesenDie Beschaffung fällt unter das Übereinkommen über das öffentliche Beschaffungswesen: Ja
Verwendung von EU-MittelnDie Auftragsvergabe wird zumindest teilweise aus Mitteln der Europäischen Union finanziert: Nein
Zusätzliche Informationen  
Bedingungen für die Einreichung eines Angebots  
ZuschlagskriterienPreis, Beschreibung: Preis, Gewichtung: 100,00
Informationen über die Anwendbarkeit von EEDEED anwendbar: Nein
Informationen zur Richtlinie über saubere FahrzeugeDie Auftragsvergabe fällt in den Anwendungsbereich der Richtlinie 2009/33/EG des Europäischen Parlaments und des Rates (Richtlinie zur Förderung sauberer Fahrzeuge - CVD): Nein
Ergebnis
Ergebnisse der Beschaffung  
Zuschlagsstatus  
 Status der Preisträgerauswahl: Es wurde mindestens ein Gewinner ermittelt
Eingegangene Einreichungen - Statistik  
 Anzahl der eingegangenen Angebote: 1
 Anzahl der eingegangenen Angebote von KMU: 1
 Anzahl der eingegangenen Angebote von Bietern aus anderen EU-Mitgliedstaaten: 0
 Anzahl der eingegangenen Angebote von Bietern aus Nicht-EU-Mitgliedstaaten: 0
 Anzahl der elektronisch eingegangenen Angebote: 1
Gewinner 1  
BieterOffizielle Bezeichnung: HQ-Dielectrics GmbH
Vergabe von UnteraufträgenVergabe von Unteraufträgen: Nein
AuftragDatum des Vertragsabschlusses: 15.09.2026
Bieter
Offizielle Bezeichnung: HQ-Dielectrics GmbH
Identifikationsnummer (Umsatzsteuer-ID): DE268025856
Postanschrift: Postfach 49
Postleitzahl / Ort: 89156 Dornstadt
NUTS-3-Code: DE145
Land: Deutschland
E-Mail: info@hq-dielectrics.eu
Telefon: +49 7348-204825
Fax: +49 7348-204928
Unternehmensgröße: Kleines Unternehmen
Der Gewinner ist börsennotiert: Nein